Wissenschaftler (m/w/d) - InGaAs-Technologie

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 000 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 2,9 Milliarden Euro.
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.
Entfalten Sie Ihr Potenzial als Wissenschaftler*in im Bereich der Bauelemententwicklung für die InGaAs-Höchstfrequenzelektronik und gestalten Sie die wegweisenden Technologien der Hochfrequenzelektronik von morgen!
Was Sie bei uns tun

• Zusammen mit Ihren Kolleg*innen aus der Technologie-Abteilung entwickeln Sie innovative Prozesse, um die Bauelementeigenschaften hinsichtlich Hochfrequenzeigenschaften, Leistungsdichte, Rauschen, Ausbeute und Zuverlässigkeit signifikant zu verbessern.
• Sie betreuen die Produktions-Waferdurchläufe im Rahmen unserer Kleinserienfertigung.
• Zudem akquirieren und leiten Sie, in Zusammenarbeit mit der Abteilung Mikroelektronik, zukunftsweisende nationale und internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte.

Was Sie mitbringen

• Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung, idealerweise mit Promotion.
• Sie konnten bereits Erfahrung im Bereich der Halbleitertechnologie sammeln.
• Sie verfügen über gute Kenntnisse in den Materialwissenschaften und der Funktionsweise von elektronischen Halbleiterbauelementen.
• Sie zeichnen sich durch eine schnelle Einarbeitung in neue Problemstellungen und eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise aus. Sie verfügen über verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse, zeichnen sich durch Team- und Kommunikationsfähigkeit aus und bringen eine Leidenschaft für experimentelle Arbeit mit.

Was Sie erwarten können

• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
• Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung wie auch interdisziplinäres Arbeiten
• Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik
• Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf dem Gebiet der Schaltungsentwicklung, Mess- und Aufbautechnik
• Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
• Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
• Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
• Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen

Fragen zu dieser Ausschreibung und zum Bewerbungsprozess beantwortet Ihnen gerne:
Kathrin Escher
recruiting@iaf.fraunhofer.de

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg